RHEED(反射高能電子繞射儀)是觀察晶體生長最重要的即時監測工具之一。它可以通過非常小的掠射角將能量為10～30KeV的單能電子掠射到晶體表面，通過衍射斑點獲得薄膜厚度，組分以及晶體生長機制等重要資訊。因此反射高能電子繞射儀已成為MBE系統中監測薄膜表面形貌的一種標準化技術。RHEED反射高能電子繞射儀，便於操作者使用的人性化設計，穩定性和耐久性以及擁有高亮度的繞射斑點等特長得到日本國內及海外各研究機構的一致好評和認可。
 
產品特性 :
● 可遠端控制調節電壓，束流強度，聚焦位置以及光束偏轉
● XY軸 ±5 度電子束偏轉
● 高效螢光屏擁有高亮度衍射斑點
● 電子槍內表面經特殊處理，能實現極低放氣率
● 鎳鐵高導磁合金磁遮罩罩（選購 )
● 可搭載差動排氣系統用於低真空系統（選購）
● 高壓電源安全閉鎖功能
● 經久耐用，穩定可靠
● 符合歐盟RoHS指令
● KSA400RHEED分析系統相容（選購）
  
產品規格 :
 
  30KeV 電子槍
型號 RDA-004G
電子束徑 φ90μm
燈絲 φ0.1mm 髮夾式鎢燈絲
控制電極 定量偏壓
集束線圈 空心型電磁線圈
偏向線圈 環形電磁線圈
軸向校正 燈絲，控制電極
絕緣電壓 DC30KV
工作壓強範圍 <10-4Pa～10-9Pa
最大烘烤溫度 200℃
連接法蘭 ICF70（外徑φ2.75英寸）
外形尺寸 φ100 x 401mm（可加長100mm）
          
   30KeV 電子槍電源
型號 RDA-004P
加速電壓 0～30KV 定電壓電源（紋波值≤0.03%）
電子束電流 0～160μm
燈絲電源 0～2V定電壓電源2Amax（紋波電壓≤0.05%）
燈絲電流 Max. 2A 
偏向線圈電源  ±1A定電流電源±1V
（紋波電壓≤0.05%）
集束線圈電源 ±0～1.5A定電流電源0～22V
（紋波電壓≤0.05%）
輸入電壓 200V, 220V, 230V, 240V
外形尺寸 480mm x 199mm x 500mm（可加長100mm）
安全功能 安全閉鎖裝置
其他 RoHS指令認證

 
  30KeV 電子槍
型號 RDA-004G
電子束徑 φ90μm
燈絲 φ0.1mm 髮夾式鎢燈絲
控制電極 定量偏壓
集束線圈 空心型電磁線圈
偏向線圈 環形電磁線圈
軸向校正 燈絲，控制電極
絕緣電壓 DC30KV
工作壓強範圍 <10-4Pa～10-9Pa
最大烘烤溫度 200℃
連接法蘭 ICF70（外徑φ2.75英寸）
外形尺寸 φ100 x 401mm（可加長100mm）
          
 
   30KeV 電子槍電源
型號 RDA-004P
加速電壓 0～30KV 定電壓電源（紋波值≤0.03%）
電子束電流 0～160μm
燈絲電源 0～2V定電壓電源2Amax（紋波電壓≤0.05%）
燈絲電流 Max. 2A 
偏向線圈電源  ±1A定電流電源±1V
（紋波電壓≤0.05%）
集束線圈電源 ±0～1.5A定電流電源0～22V
（紋波電壓≤0.05%）
輸入電壓 200V, 220V, 230V, 240V
外形尺寸 480mm x 199mm x 500mm（可加長100mm）
安全功能 安全閉鎖裝置
其他 RoHS指令認證

KSA400-RHEED 影像分析系統是全球最專業的RHEED分析系統，適合各種RHEED系統和薄膜沉積系統，目前第四代系統結合優質的硬體和功能強大的軟體除了可以即時取得分析資料之外，還可實現即時晶格間距，原位應力，即時薄膜沉積速率以及薄膜厚度的解析。為使用者提供最廣泛的RHEED分析資訊。 

rdec15     

MBE(分子束外延)是種物理沉積單晶薄膜方法。在超高真空腔內，源材料通過高溫蒸發、輝光放電離子化、氣體裂解，電子束加熱蒸發等方法，產生分子束流。入射分子束與襯底交換能量後，經表面吸附、遷移、成核、生長成膜。生長系統配有多種監控設備，可對生長過程中襯底溫度，生長速度，膜厚等進行暫態測量分析。對表面凹凸、起伏、原子覆蓋度、黏附係數、蒸發係數及表面擴散距離等生長細節進行精確監控。由於MBE 的生長環境潔淨、溫度低、具有精確的原位即時監測系統、晶體完整性好、組分與厚度均勻準確，是良好的光電薄膜，半導體薄膜生長工具。